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532 nm激光对面阵硅基CCD的干扰效果研究.pdf

532 nm激光对面阵硅基CCD的干扰效果研究.pdf

    摘要

    电荷耦合器(CCD)在激光辐照下的成像质量会受到影响，导致图像失真。激光

    对CCD的损伤效应可以分为可恢复的软损伤和不可恢复的硬破坏，本文以532nm连

    续激光为研究对象，分别采用理论与实验的方法，探究了其对Sony-ICX405AK型行

    间转移面阵硅基彩色CCD的干扰效果，重点分析了532nm激光辐照致CCD的软损

    伤特性。

    在理论研究方面，在现有的激光辐照CCD理论研究基础上，基于半导体的光生

    载流子原理和体沟道CCD的一维模型和载流子运

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