高效率线增益低噪声硅VDMOS与LDMOS晶体管射频特性及应用.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.55万字
  • 约 4页
  • 2026-05-21 发布于北京
  • 举报

高效率线增益低噪声硅VDMOS与LDMOS晶体管射频特性及应用.pdf

polyfet射频器件

L2711

一般描述

专为宽带射频应用设计的硅硅栅增强模式

VDMOS和LDMOS晶体管。适用

射频功率晶体管LDMOS

于无线电、蜂窝和

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档