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实验16用霍尔效应法测量磁场

在工业生产和科学研究中，经常需要对一些磁性统或磁性材料进行测量，被测磁场

的范闱可从1尸（5〜103T:特斯拉），测量所用的原理涉及到电磁感应、磁光效应、热磁效

应等。常用的磁场测量方法有核磁共振法、电磁感应法、霍尔效应法、磁光效应法、超导

量子干涉器件法等近I种。

一般地，霍尔效应法用于测量1广（〜10T的磁场。此法结构较简单，灵敏度高，探头

体积小、测量方便、在霍尔器件的温度范围内有较好的稳定性。但霍尔电压和内阻存在一

定的温度数，并受输入电流的影响，所以测量精度较低。

用半导体材料制成的霍尔器件，在磁场作用下会出现显著的霍尔效应，可用来测量磁

场、霍尔数、判断半导体材料的导电类型（N型或P型）、确定载流子（作定向运动的

带电粒子）浓度和迁移率等参数。如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要

手段，而且利用该效应制成