2026中电科半导体材料有限公司校园招聘笔试历年常考点试题专练附带答案详解.docxVIP

2026中电科半导体材料有限公司校园招聘笔试历年常考点试题专练附带答案详解

一、单项选择题

下列各题只有一个正确答案，请选出最恰当的选项（共30题）

1、半导体材料中，硅（Si）属于哪类半导体？

A.元素半导体B.化合物半导体C.有机半导体D.氧化物半导体

2、在PN结中，耗尽层主要位于哪里？

A.P区内部B.N区内部C.PN交界面附近D.金属电极处

3、下列哪种工艺常用于半导体晶圆表面的平坦化处理？

A.光刻B.化学机械抛光（CMP）C.离子注入D.蚀刻

4、衡量半导体材料导电性能的主要参数是？

A.介电常数B.迁移率C.折射率D.硬度

5、直拉法（CZ法）主要用于制备什么？

A.多晶硅锭B.单晶硅棒C.薄膜沉积D.外延片

6、本征半导体的费米能级位于？

A.导带底B.价带顶C.禁带中央附近D.杂质能级

7、下列哪项不是半导体制造中的清洗目的？

A.去除颗粒污染物B.去除金属杂质C.增加晶圆厚度D.去除有机残留

8、MOSFET器件中，栅极绝缘层通常使用什么材料？

A.多晶硅B.二氧化硅（或高K介质）C.铝D.氮化硅

9、半导体光电效应中，光子能量必须大于什么才能产生电子-空穴对？

A.热能B.禁带宽度（Eg）C.功函数D.电离能

10、在集成电路制造中，