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基于新结构N-型构筑单元的有机半导体：合成路径、表征技术与性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

有机半导体材料凭借其独特的分子可设计性、良好的溶液加工性以及出色的柔韧性，在有机发光二极管（OLED）、有机场效应晶体管（OFET）、有机太阳能电池（OSC）等诸多领域展现出巨大的应用潜力，成为了材料科学领域的研究热点之一。在过去的几十年中，有机半导体领域取得了显著的进展，众多新型的有机半导体材料被设计与合成出来，其性能也得到了不断的优化与提升。

在有机半导体材料体系中，根据载流子类型的不同，可分为p型（空穴传输）和n型（电子传输）有机半导体。p型有机半导体由于具有相对较高的空穴迁移