《GBT 47404-2026 碳化硅单晶》学习与解读.pptxVIP

《GB/T47404-2026碳化硅单晶》学习与解读

目录

02

核心内容解读

01

标准背景与概述

03

性能要求与测试方法

04

应用与实施指南

05

学习重点与难点

06

总结与后续行动

标准背景与概述

01

碳化硅单晶技术发展背景

半导体代际演进

碳化硅作为第三代半导体核心材料，相比第一代硅/锗和第二代砷化镓/磷化铟，具有禁带宽度大（2.2-3.3eV）、热导率高（4.9W/cm·K）等特性，突破传统硅基材料在高压、高温场景的性能极限。

产业需求驱动

技术攻坚历程

新能源汽车电控系统、光伏逆变器、5G基站等应用对高功率密度器件的需求激增，推动碳化硅单晶从实验室走向规模化量产，衬底尺