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CH3NH3PbCl3单晶钙钛矿生长控制及光电特性研究.pdf

CH3NH3PbCl3单晶钙钛矿生长控制及光电特性研究.pdf

    摘要

    有机-无机杂化钙钛矿单晶材料因其优异的光电特性成为新一代半导体中受关注

    的焦点，相关的光电器件研究在过去十几年不断取得突破性进展。然而，单晶的生长

    缺陷以及器件界面处的载流子输运问题严重制约了器件性能的进一步提升。针对这些

    问题，本文选择CHNHPbCl单晶作为研究对象，研究了不同接触类型对器件性能的

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    影响。通过对比欧姆接触与肖特基接触电极对探测器关键性能参数的影响，分析了肖

    特基势垒在光电转换过程中的作用机制

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