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2026/5/20北京航空航天大学202教研室1BECIBIEICPNDGSBJT场效应管FET

2026/5/20北京航空航天大学202教研室2内容组织二极管BJTFETNPNPNPJFETMOSNP耗尽增强NPNP1.组成结构/工艺2.原理条件,状态3.曲线-大信号曲线表达式4.小信号模型模型等效参数5.参数

2026/5/20北京航空航天大学202教研室31.3双极型晶体管（BJT:bipolarjunctiontransistor）概念：由三个杂质半导体区（发射区，基区，集电区）

及两个PN结（发射结和集电结）构成的，有两

种载流子（自由电子和空穴）在其内部作扩散、

复合、漂移等复杂运动的PNP或NPN晶体管。BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管1.3.1BJT结构和工艺

2026/5/20北京航空航天大学202教研室4双极型晶体管的基本结构：BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型

2026/5/20北京航空航天大学202教研室5BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高三个杂质半导体区：

2026/5/20北京航空航天大学202教研室6BECNNP基极发射极集电极发射结集电结两个PN结：