CN120152296A 3d-rram结构及其制备方法 (上海积塔半导体有限公司).pdfVIP

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  • 2026-05-21 发布于重庆
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CN120152296A 3d-rram结构及其制备方法 (上海积塔半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120152296A

(43)申请公布日2025.06.13

(21)申请号202510330736.3

(22)申请日2025.03.19

(71)申请人上海积塔半导体有限公司

地址201306上海市浦东新区自由贸易试

验区临港新片区云水路600号

(72)发明人刘靖汪国军

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通

合伙)31219

专利代理师余明伟

(51)Int.Cl.

H10B63/00(2023.01)

H10N70/20(2023.01)

H10N70/00(2023.01)

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