CN120152332A GaN HEMT器件及其制造方法 (远山新材料科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-05-21 发布于重庆
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CN120152332A GaN HEMT器件及其制造方法 (远山新材料科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120152332A

(43)申请公布日2025.06.13

(21)申请号202510319429.5

(22)申请日2025.03.18

(71)申请人远山新材料科技有限公司

地址272000山东省济宁市高新区海川路9

(72)发明人苏军高天

(74)专利代理机构济宁汇景知识产权代理事务

所(普通合伙)37254

专利代理师葛玉彬

(51)Int.Cl.

H10D30/47(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

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