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光刻胶配方研发工程师考试试卷及答案

光刻胶配方研发工程师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.光刻胶的核心组成包括树脂、光敏剂、______和添加剂。

答案：溶剂

2.正性光刻胶曝光区域在显影液中______（溶解/交联）。

答案：溶解

3.常用i线光刻胶的波长为______nm。

答案：365

4.193nm光刻胶常用的透明树脂是______树脂。

答案：丙烯酸

5.负性光刻胶曝光后发生______反应，分子量增大。

答案：交联

6.正性胶显影液TMAH的中文名称是______。

答案：四甲基氢氧化铵

7.光刻胶分辨率公式中，NA代表______。

答案：数值孔径

8.涂在晶圆与光刻胶之间的抗反射涂层是______。

答案：底部

9.电子束光刻胶分辨率可达______级别（微米/纳米）。

答案：纳米

10.调节光刻胶粘度的主要组分是______。

答案：溶剂

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.正性光刻胶未曝光区域在显影液中______？

A.溶解B.保留C.交联D.挥发

答案：B

2.248nm深紫外胶常用树脂是______？

A.酚醛树脂B.PHS树脂C.丙烯酸树脂D.环氧树脂

答案：B

3.光刻胶中光敏剂的核心作用是______？

A.提供强度B.引发光反应C.调节粘度D.除杂质

答案：B

4.影响涂胶厚度的关键因素是______？

A.曝光剂量B.显