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基于原子层沉积的超高深宽比微孔镀膜技术研究.pdf

基于原子层沉积的超高深宽比微孔镀膜技术研究.pdf

    摘要

    在微纳光学以及半导体领域中，高深宽比器件如三维芯片、集成电路、微通道板

    等十分常见。而由于其本身内部结构的复杂性，在器件内部行薄膜沉积时，高精度的

    薄膜生长技术至关重要。近年来，原子层沉积技术(AtomicLayerDeposition,ALD)由

    于其薄膜厚度纳米级精确可控、大面积沉积均匀性以及良好的三维台阶覆盖性能等特

    点，在各个工业及科研领域受到越来越广泛的重视。ALD作为一种薄膜沉积技术，在

    三维复杂基底尤其是高深宽比材料上均匀沉积薄膜是其重要应用之一，为此，本论文

    采用

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