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宽带隙半导体SnO2和Ga2O3的光电性能研究.pdf

宽带隙半导体SnO2和Ga2O3的光电性能研究.pdf

    摘要

    氧化锡（SnO）和氧化镓（GaO）作为重要的半导体材料，广泛应用于紫外探

    223

    测、气体传感和光催化等领域。然而，在制备过程中难以避免产生氧空位（VO）等缺

    陷。V的电子态、浓度和复合缺陷类型影响和制约着SnO和GaO薄膜探测器的性

    O2

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