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3DNANDFlash阵列级可靠性：挑战剖析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的今天，数据呈爆炸式增长，存储技术成为支撑信息产业发展的关键基石。3DNANDFlash作为新一代存储技术，凭借其独特的优势，在存储领域占据了愈发重要的地位。

从技术演进角度看，传统的2DNANDFlash随着制程工艺的不断缩小，逐渐逼近物理极限。尽管制程工艺的进步带来了存储单元密度的提升和单位存储成本的降低，但也引发了诸如电荷泄漏、制造工艺复杂度大幅增加等棘手问题。为突破这些瓶颈，3DNANDFlash技术应运而生，其通过在垂直方向上构建存储单元，打破了平面布局