CN119601526A 提高半导体晶体管器件隔离性能的方法 （格科微电子（上海）有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119601526A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202311142010.4

(22)申请日2023.09.05

(71)申请人格科微电子（上海）有限公司

地址201203上海市浦东新区张江镇盛夏

路560号2幢11层、12层

(72)发明人冯志进赵立新柳雅琳

(51)Int.Cl.

H01L21/762(2006.01)

H10F39/12(2025.01)

H10F39/18(2025.01)

权利要求书2页说明书4页附图6页

(54)发明名称

提高半导体晶体管器件隔离性能的方法

(57)摘要

CN119601526A本发明公开了一种提高半导体晶体管器件隔离性能的方法，包括：提供一衬底；刻蚀所述衬底的正面，在P型掺杂阱区和N型掺杂阱区之间形成沟槽；在所述沟槽表面形成介质层；沉积多晶硅以填充所述沟槽，形成沟槽隔离结构，使所述沟槽隔离结构将所述P型掺杂阱区和N型掺杂阱

CN119601526A

CN119601526A权利要求书1/2页

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1.一种提高半导体晶体管器件隔离性能的方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

刻蚀所述