CN120184005A 一种AlScN薄膜结构的清洗方法、形成方法及半导体结构 (上海新微技术研发中心有限公司).pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约8.59千字
  • 约 7页
  • 2026-05-23 发布于重庆
  • 举报

CN120184005A 一种AlScN薄膜结构的清洗方法、形成方法及半导体结构 (上海新微技术研发中心有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120184005A

(43)申请公布日2025.06.20

(21)申请号202510349924.0

(22)申请日2025.03.24

(71)申请人上海新微技术研发中心有限公司

地址201800上海市嘉定区菊园新区胜竹

路1399号2幢9层930室

(72)发明人方洪伟

(74)专利代理机构苏州创智高诺知识产权代理

有限公司32843

专利代理师白莉莉

(51)Int.Cl.

H01L21/02(2006.01)

H10N30/093(2023.01)

H10N30/85(2023.01)

H10N30/082(2023.01)

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档