CN119601532A 半导体封装结构及形成半导体封装件的方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119601532A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202411272132.X

(22)申请日2024.09.11

(30)优先权数据

63/581,8172023.09.11US

18/401,8462024.01.02US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹

(72)发明人文克刚吴于贝萧琮介王良玮陈殿豪

(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理

有限公司11409

专利代理师章社杲李伟

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L21/60(2006.01)

H01L23/522(2006.01)

H01L23/52(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图20页

(54)发明名称

半导体封装结构及形成半导体封装件的方

法

(57)摘要

CN119601532A一种形成半导体封装件的方法包括在第一器件管芯的半导体衬底的前侧上形成第一集成电路，形成从半导体衬底的背侧延伸到半导体衬底中的沟槽电容器，以及形成穿透半导体衬底的第一贯通孔和第二贯通孔。沟槽电容器电耦合在第一贯通孔和第二贯通孔之间。第二器件管芯接合到第一管芯。第二器件管芯包括第二集