N沟道增强型MOSFET：150V 70A 28mΩ，低导通电阻与高雪崩能量.pdfVIP

FQA70N15N沟道QFET

MOSFET150V,70A,28mΩ

描述

这款N沟道增强型功率MOSFET采用Fairchild特性

Semiconductor®的专有平面条纹和DMOS技术制造。这种•70A，100V，RDS(导通)=28mΩ(最大)@VGS=10V，ID=35A

先进的MOSFET技术特别优化以降低导通电阻，并卓越

•低栅极电荷（典型值135nC）

的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电

源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。•低Crss（典型值135pF）

•100%雪崩测试

•175°C最高结温等级

FQA70N15

N-ChannelQFETMOSFET

150V,70A,28mΩ

Description

ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisFeatures