CN119603957A 半导体结构及其制作方法 （北京超弦存储器研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119603957A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202311161018.5

(22)申请日2023.09.08

(71)申请人北京超弦存储器研究院

地址100176北京市大兴区经济技术开发

区科创十街18号院11号楼四层401室

(72)发明人王文奇李相惇康卜文

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师鲁盛楠

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书3页说明书18页附图23页

(54)发明名称

半导体结构及其制作方法

(57)摘要

CN119603957A本发明涉及一种半导体结构及其制作方法，制作方法包括以下步骤：提供初始结构，初始结构包括多个第一半导体柱；形成多个第二半导体柱，多个第二半导体柱沿第一方向排成多列，第二半导体柱和第一半导体柱相连，第二半导体柱包括沿远离第一半导体柱的方向依次设置的第一区域、第二区域和第三区域；形成字线，字线沿第一方向延伸并包覆沿第一方向排列的一列第二半导体柱的第二区域的侧壁；形成牺牲层，牺牲层沿第一方向在相邻的字线之间延伸，牺牲层至少填充相邻的字线之间的部分空间；形成顶部绝缘层覆盖牺牲层并填充相邻的两列第二半导体柱之间未被填充的空间；