CN119603971A 半导体结构及其制造方法、存储系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119603971A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202311162780.5

(22)申请日2023.09.08

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人吴佳佳许宗珂袁彬徐伟霍宗亮

(74)专利代理机构北京英思普睿知识产权代理

有限公司16018

专利代理师刘莹聂国斌

(51)Int.Cl.

H10B43/30(2023.01)

H10B43/20(2023.01)

权利要求书2页说明书14页附图29页

(54)发明名称

半导体结构及其制造方法、存储系统

(57)摘要

CN119603971A本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。制造半导体结构的方法包括：形成叠层结构，叠层结构包括交替堆叠的电介质层和牺牲层；形成沿叠层结构的堆叠方向延伸的第一初始连接部、以及与第一初始连接部连接且围绕第一初始连接部设置的第二初始连接部，其中第二初始连接部沿第一方向与牺牲层连接，第一方向相交于堆叠方向；以及将第一初始连接部、第二初始连接部和牺牲层分别置换为第一连接部、

CN119603971A

CN119603971A