CN119604965A 保护膜形成剂、及半导体芯片的制造方法 （东京应化工业株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119604965A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202380056841.1

(22)申请日2023.07.20

(30)优先权数据

2022-1262052022.08.08JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.24

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0265472023.07.20

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/034345JA2024.02.15

(71)申请人东京应化工业株式会社地址日本神奈川县

(72)发明人真庭瞳木下哲郞

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所

11256

专利代理师杨宏军焦成美

(51)Int.Cl.

H01L21/301(2006.01)

B23K26/364(2006.01)

C08L101/02(2006.01)

权利要求书1页说明书24页附图5页

(54)发明名称

保护膜形成剂、及半导体芯片的制造方法

(57)摘要

CN119604965A本发明提供在半导体晶片的切割中用于在半导体晶片的表面形成保护膜、并且能够形成激光加工性优异且抑制了裂纹产生的保护膜的保护膜形成剂、和使用该保护膜形成剂的半导体芯片的制造方法。本发明为保