CN119604967A 蚀刻系统以及蚀刻方法 （株式会社日立高新技术）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119604967A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202380020746.6

(22)申请日2023.07.10

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2024.08.07

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0253822023.07.10

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2025/013151JA2025.01.16

(71)申请人株式会社日立高新技术地址日本

(72)发明人田洼千咲纪佐竹真奥村忠嗣

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任

公司11021

专利代理师吴秋明

(51)Int.Cl.

H01L21/3065(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图12页

(54)发明名称

蚀刻系统以及蚀刻方法

(57)摘要

CN119604967A本发明的蚀刻系统特征在于，具备：对晶片(104)进行蚀刻的蚀刻装置(103)；测定形成于被蚀刻装置(103)蚀刻的晶片(104)的表面上的图案的测定装置(101)；和对蚀刻装置(103)提供蚀刻条件的计算装置(102)，计算装置(102)基于来自测定装置(101)的图案的测定结果来算出蚀刻条件当中的与温度条件的相关高的第1参数和相关低的第2参数，基