CN119855187A 一种左右屏蔽沟槽栅碳化硅vdmos及制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119855187A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202510329136.5

(22)申请日2025.03.20

(71)申请人泰科天润半导体科技（北京）有限公

司

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义园临空二路1号

(72)发明人何佳陈彤周海胡臻

(74)专利代理机构福州市京华专利代理事务所

(普通合伙)35212

专利代理师刘晓明

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/66(2025.01)

H10D62/83(2025.01)

H10D6