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相移干涉图中相移量精确确定与相位高效恢复的关键技术研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光学测量领域，相移干涉技术凭借其高精度、非接触等显著优势，已成为获取物体表面微观形貌和微小位移信息的关键手段，在诸多前沿领域发挥着不可或缺的作用。

在半导体制造这一精密领域中，随着芯片集成度不断攀升，对晶圆表面平整度和微结构尺寸精度的要求达到了纳米量级。相移干涉技术能够精准测量晶圆表面的微观起伏和微小缺陷，为光刻工艺的参数优化提供关键依据，从而有效提升芯片制造的良品率和性能。在微机电系统（MEMS）制造中，该技术可对MEMS器件的微结构形貌进行精确检测，确保器件性能的稳定性和可靠性，满足其在航