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氧化锌纳米线基半导体薄膜：制备工艺、特性分析与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，氧化锌（ZnO）纳米线基半导体薄膜凭借其独特的物理化学性质，占据着极为重要的地位。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，具有六角纤锌矿结构，室温下禁带宽度约为3.37eV，激子结合能高达60meV。这种特殊的能带结构赋予了ZnO纳米线基半导体薄膜一系列优异特性，使其在众多领域展现出巨大的应用潜力。

在光电器件领域，ZnO纳米线基半导体薄膜的应用前景极为广阔。其较高的激子结合能和对紫外光的强吸收能力，使其成为制备紫外探测器、发光二极管（LED）和半导体激光器（LD）