2025年集成电路考试题及答案.docxVIP

致其中一个寄生三极管导通时，正反馈使电流持续增大，形成低阻通路，可能烧毁芯片。预防措施：(1)减小寄生三极管的电流增益(β)，如增加阱区掺杂浓度、缩短基区宽度；(VGS/(nUT))

致其中一个寄生三极管导通时，正反馈使电流持续增大，形成低阻通路，可能烧毁芯片。预防措施：(1)减小寄生三极管的电流增益(β)，如增加阱区掺杂浓度、缩短基区宽度；

(VGS/(nUT))，UT为热电压)。对低功耗设计的影响：亚阈值电流是静态功耗的主要来源(尤其在多晶体管的大规模电路中)，限制了低电压下的漏电流控制；但利用亚

电路中，混频器的主要功能是，其核心性能指标包括和 (任意两个)。答案：频率变换(将输入信号与本振信号混频提供中频信号)；转换增益；噪声系数；线性度(IIP3)

物电荷)对沟道载流子的俘获-释放过程，导致电流涨落。1/f噪声功率谱密度与沟道面积(W×L)成反比，与栅氧化层厚度t(ox)的平方成正比，还与工艺中的界面质量(

一、单项选择题(每题2分，共20分)

1.在3nmFinFET工艺中，以下哪项不是抑制短沟道效应(SCE)的关键技术？

A.增加栅极氧化层厚度

B.采用高κ金属栅(HKM)G结构

C.缩短源漏延伸区(SDE)长度

D.提升鳍片高度以增强栅控能力

答案：A(增加栅氧厚度