《GBT 44937.3-2025 集成电路 电磁发射测量 第3部分：辐射发射测量 表面扫描法》学.pptxVIP

《GB/T44937.3-2025集成电路电磁发射测量第3部分：辐射发射测量表面扫描法》学习与解读

目录

02

辐射发射测量基础

01

标准概述

03

表面扫描法详解

04

测试实施流程

05

数据处理与分析

06

解读与应用建议

标准概述

01

背景与制定目的

集成电路电磁兼容性需求提升

随着集成电路工作频率和集成度的不断提高，电磁辐射问题日益突出，可能干扰其他电子设备或影响自身性能，亟需标准化测量方法以量化评估辐射特性。

填补近场测量技术空白

国际标准协调与产业接轨

传统远场测试难以精确定位辐射源，表面扫描法通过近场探测提供高分辨率电磁场分布数据，为设计优化和故障诊断提供科学依据。

参考国际电磁兼容性（EMC）标准体系（如IEC61967），推动国内集成电路测试技术与全球产业要求同步，提升产品国际竞争力。

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该标准规定了集成电路表面辐射发射的测量条件、设备要求及操作流程，适用于研发、生产及质量控制环节，为制造商、检测机构及监管部门提供统一技术规范。

涵盖数字、模拟及混合信号集成电路，包括但不限于处理器、存储器、射频芯片等，适用于封装前后不同阶段的辐射评估。

适用产品类型

不仅适用于实验室环境，还可用于产线快速筛查，支持不同规模企业的电磁兼容性验证需求。

测试场景扩展性

不涉及系统级整机设备的辐射测试，或远场辐射限值判定，需结合其他标准（如GB9254）完