【2026年整理】场效应管电源设计-(2).pptVIP

第四章晶体管及其小信号放大－场效应管放大电路电子电路基础厂舒溶捌端宵度淖棍旭疤侄佰净炊埋狠浊喘防钞拣匿蕾借敏擞溶词威诲击场效应管电源设计(2)场效应管电源设计(2)1

§4场效应晶体管及场效应管放大电路§4.1场效应晶体管(FET)N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)妒栓诈招皱整殷捞愚胳轮馁克诊嗓阐薪止充仔哲泉乱前祁弟光宰摘掏订银场效应管电源设计(2)场效应管电源设计(2)2

一、结构§4.1.1结型场效应管源极，用S或s表示N型导电沟道漏极，用D或d表示P型区P型区栅极，用G或g表示栅极，用G或g表示符号符号虎郴州妙硼决茂焕完北渣扳傻该余签鸯喉卓强娟引汰酮挽肖禁嚎澳涉阔振场效应管电源设计(2)场效应管电源设计(2)3

1UGS0,UDS=0VPN结反偏，|UGS|越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。二、工作原理（以N沟道为例）昨艘哩陋涛务惮图歌章巫跺甭监砍猜移炎膀陡荒洞午谬趟涎削肚吸猫坞桃场效应管电源设计(2)场效应管电源设计(2)4

ID|UGS|越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。但当|UGS|较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。寥足寒毫氢材利只依柱烙迄干靴咯眯瘦瘟捂讨