【2026年整理】场效应管电源设计.pptVIP

第四章晶体管及其小信号放大;§4场效应晶体管及场效应管;一、结构§4.1.1结型场;1UGS0,UDS=;ID|UGS|越大耗尽区越宽，;NGSDUGSPPUGS达到一;2UGS=0,UDS;当UDS=|Vp|,;3UGS0,UDS;三、特性曲线和电流方程2.转;结型场效应管的缺点：1.栅源;绝缘栅型场效应三极MOSFET;一N沟道增强型MOSFE;2工作原理(1)VG;(3)VGSVGS（th;3N沟道增强型MOS管的特性;输出特性曲线ID=f(VDS);二N沟道耗尽型MOSFE;输出特性曲线IDUDS0UG;P沟道MOSFET;2.2.5双极型和场效应型三;§4.1.4场效应管的参;④输入电阻RGS场效;⑥最大漏极功耗PDM;二场效应三极管的型号;几种常用的场效应三极管的主要参;半导体三极管图片铅彻躯聚汰骑岂;半导体三极管图片蔑闲抓很捧原袖;§4.2场效应放大电路(;4.2.2场效应管的直流偏置;二分压式偏置电路效渝受苔洼;4.2.2场效应管的低频小信;很大，可忽略。场效应管的微变;4.2.3共源极放大电路uo;sgR2R1RGRLdRLR;4.2.4共漏极放大电路;uo+UDDRSuiC1R1R;riroro?gR2R1R