《KrF光刻胶制备工艺技术要求》团体标准
征求意见稿编制说明
一、任务来源
在半导体制造的核心材料领域,KrF光刻胶的制备工艺近年经历了显著的技术演进,主要围绕材料设
计、合成精度与量产稳定性展开深度创新。传统工艺依赖聚对羟基苯乙烯类树脂,但其分子量分布宽、抗
蚀性不足的问题限制了分辨率和图案精度。为此,新型共聚物设计逐渐成为主流——通过引入含单环烃酸
敏基团及多环烃基缩醛结构的单体,不仅提升了树脂的抗刻蚀性能,还显著降低了厚膜应用中的气泡缺陷。
这类单体在曝光后生成不易挥发的组分,有效
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