CN119619780A 一种基于三端电阻监测的SiC MOSFET最大浪涌电流测试及失效分析方法和装置 （华南理工大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119619780A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202411879145.3

(22)申请日2024.12.19

(71)申请人华南理工大学

地址510640广东省广州市天河区五山路

381号

(72)发明人钟永乐王之哲陈志武何新华

(74)专利代理机构广州市华学知识产权代理有限公司44245

专利代理师利韵婷

(51)Int.Cl.

G01R31/26(2020.01)

G01R27/02(2006.01)

G01R19/04(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图1页

(54)发明名称

一种基于三端电阻监测的SiCMOSFET最大

浪涌电流测试及失效分析方法和装置

(57)摘要

CN119619780A本发明公开了一种基于三端电阻监测的SiCMOSFET最大浪涌电流测试及失效分析方法和装置。通过施加步进浪涌电流并结合三端电阻的在线监测，快速评估器件在极端应力下的性能变化，从而判断其最大单次浪涌电流承受能力及失效模式。具体步骤包括对待测SiCMOSFET施加适当的栅极偏压，并设定浪涌电流产生电路的参数。在施加步进单次浪涌电流后，测量并记录栅源、漏源和栅漏端的三端静态电阻值。通过监测电阻值的变化，确定最大