溶液体系中CdTe与TiO半导体量子点生长的光谱监测及动力学解析.docx

溶液体系中CdTe与TiO半导体量子点生长的光谱监测及动力学解析

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体量子点作为一种准零维的纳米材料，在现代科学技术领域中占据着极为重要的地位。它通常由少量原子组成，粒径小于或接近相应半导体材料的激子玻尔半径，常见的有硫化镉（CdS）、硒化镉（CdSe）、碲化镉（CdTe）等Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点，以及磷化铟（InP）、砷化铟（InAs）等Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点。由于电子和空穴在三维空间的运动均受到限制，量子点展现出独特的量子尺寸效应、表面效应和介电限域效应等，这些效应赋予了它许多不同于宏观体相材料的物理化学性质，使其在多个领域展现出广阔的应用前景。