1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 工业设计

1200V 25A场沟槽IT技术特性与应用.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约26.27万字
  • 约 30页
  • 2026-05-29 发布于北京
  • 举报

1200V 25A场沟槽IT技术特性与应用.pdf

    2013年9月

    FGH25T120SMD1200V,25A场截止

    沟槽IGBT

    特性一般描述

    •场截止沟槽技术，正温度系数采用创新的场截止沟槽IGBT技术，安森美的新一代场截止沟

    •高速开关槽IGBT在硬开关应用中了最佳性能，如能逆变器、

    =1=25

    •低饱和电压：VCE(sat).8V@ICA不间断电源（UPS）、焊机和功率因数校正（PFC）应用。

    •100%的部件测试了ILM(1)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >