原创力文档2025年长鑫存储社招在线笔试真题及满分答案
一、单项选择题（每题2分，共20分）
1.在DRAM存储单元中，用于保持数据的最核心器件是
A.电容B.晶体管C.电阻D.电感
2.下列哪一项不是3DNAND相比2DNAND的优势
A.单位面积容量更高B.写入干扰更小
C.成本更低D.读取延迟更低
3.在半导体工艺中，用于定义最小线宽的关键参数是
A.曝光波长B.晶圆直径C.腔体压力D.衬底掺杂
4.当DRAM刷新周期从64ms缩短到32ms时，功耗变化趋势为
A.线性下降B.线性上
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