CN119835962A 一种碳化硅功率器件的制造方法 （江苏中科汉韵半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835962A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202411987536.7

(22)申请日2024.12.31

(71)申请人江苏中科汉韵半导体有限公司

地址221000江苏省徐州市徐州经济技术

开发区创业路26号A-2厂房1F-2F

(72)发明人潘登薛晨左冲冲高润昌

段皎皎鲍舰黄云辉

(74)专利代理机构北京淮海知识产权代理事务

所(普通合伙)32205

专利代理师胡亚辉

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H01L21/266(2006.01)

H10D30/67(2025.01)