【2026年整理】第五章场效应管.pptVIP

5.1金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管;P沟道;;5.1金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管;5.1.1N沟道增强型MOSFET;剖面图;N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。;S;VGS对沟道的控制作用;?靠近漏极d处的电位升高;（2）漏源电压VDS的控制作用;当VGS一定（VGSUT）时，;预夹断后，VDS?;（3）VDS和VGS同时作用时;当栅极加有电压时，若

0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和

衬底间的电容作用，将靠近栅极

下方的P型半导体中的空穴向下

方排斥，出现了一薄层负离子的

耗尽层。耗尽层中的少子将向表

层运动，但数量有限，不足以形

成沟道，将漏极和源极沟通，所以不可能以形成漏极电流ID。;VGS对漏极电流的控制关系可用

ID=f(VGS)?VDS=const这一曲线描述，称为转移特性曲线。;转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压

对漏极电流的控制作用。gm的量纲为mA/V，所以

gm也称为跨导。跨导的定义式如下