高频大功率GaN基HEMT结构材料、器件及其协同优化研究.docx

高频大功率GaN基HEMT结构材料、器件及其协同优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的时代，高频大功率器件作为关键部件，广泛应用于通信、雷达、电子对抗等诸多领域，对推动这些领域的技术进步起着不可或缺的作用。在5G乃至未来的6G通信系统中，高频大功率器件是实现高速、大容量数据传输的核心，决定着信号的覆盖范围和传输质量。雷达系统中，它们直接影响着雷达的探测距离、精度以及分辨率，对于目标的检测与跟踪至关重要。

传统的硅基器件由于材料本身的限制，在面对高频、大功率的应用需求时，逐渐暴露出性能瓶颈。例如，硅材料较低的电子饱和速度和击穿场强，限制了器件在高频下的功率输出