【2026年整理】第五章-半导体器件.pptVIP

1.1.1PN结的形成;+14;平面结构;Si;Si;Si;;电子和空穴的产生过程动画演示;本征激发使空穴和自由电子成对产生。;半导体导电机理动画演示;1)在半导体中有两种载流子;2．杂质半导体;Si;Si;+;N型半导体的形成过程;c.电子是多数载流子，简称多子;空穴是少数载流子，简称少子。;(2)P型半导体;Si;Si;;-;P型半导体的形成过程;c.空穴是多数载流子,电子是少数载流子。;当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转型为P型；;N;使半导体的一边形成N型区，另一边形成P型区;PN结形成过程动画演示;耗尽层

势垒区

空间电荷区;当N区和P区的掺杂浓度不等时：;1.1.2PN结的单向导电性;PN结正偏动画演示;小结：

▲当PN结加上正向电压时，形成

多子的扩散电流（较大）。;;PN结反偏动画演示;小结：

▲当PN结加上反向电压时，形成少子的漂移电流（很小）。

▲因少子浓度主要与温度有关，反向???流与反向电压几乎无关。此电流称为反向饱和电流，记为IS。

;1.1.3PN结的电压与电流关系;IS—PN结反向饱和电流;（1）当u=0时，i=0;思考题;1.2半导体二极管;半导体二极管的外型和符号;须炊烹敛踢息禁轮盼沤昌乞侨麻荔惹星疑刊固谤啥祭草尼蛮铃嘛构痊竭项第五章半导体器件第五章半导体器件;裁幅长杜功极