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InP衬底多量子阱微环激光器：制备工艺与性能测试的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息化时代，光电器件在通信、光电子计算、激光雷达等众多领域中扮演着举足轻重的角色，而多量子阱微环激光器作为一种关键的光电器件，其性能的优劣直接影响着这些领域的发展水平。通过对材料能带结构进行精心的工业化设计，多量子阱微环激光器能够在微型结构中有效增大损耗，同时降低工作电流，进而实现更高的效率和更高速的输出，极大地推动了光电器件向小型化、高效化方向发展。

在通信领域，随着数据传输需求的飞速增长，对光通信器件的性能提出了越来越高的要求。多量子阱微环激光器以其独特的优势，如窄线宽、高调制频率和量子效