原创力文档2026碳化硅衬底缺陷控制技术突破与器件良率提升关联报告
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TOC\o1-3\h\z\u摘要 3
一、SiC衬底缺陷控制技术发展现状与2026年展望 5
1.1SiC晶体生长缺陷类型学分析（微管、位错、堆垛层错、颗粒夹杂） 5
1.22026年行业缺陷密度基准线与技术瓶颈诊断 9
1.3主流厂商技术路线对比（PVT法vs.液相法）及其缺陷特征差异 12
二、物理气相传输法（PVT）生长过程中的缺陷抑制关键技术 16
2.1温场梯度优化与热应力控制策略 16
2.2粉料纯化与源料形态控制对缺陷的源头阻断 17
三、物理化学
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