高级功率MOSFET特性与绝对大额定值.pdfVIP

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  • 2026-06-02 发布于北京
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高级功率MOSFETIRFR/U110A

特性BV=100

DSS

雪崩加固技术栅极氧化层加固技术较低的输入电容改进的VR=0.

DS(on)

栅极电荷扩展的区较低的漏电流:10A(最大)4I=4.7A

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