半导体工艺题库及答案.docxVIP

半导体工艺题库及答案

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

半导体晶圆制备的核心基础材料是以下哪一项？

A.单晶硅

B.金属铜

C.金属铝

D.普通玻璃

答案：A

解析：半导体晶圆作为芯片的基底，最常用的核心材料是具有单晶结构的硅，其原子排列规整，能满足半导体器件的电学性能要求；金属铜和铝主要用于芯片的金属化互连，普通玻璃的绝缘性和半导体性能远达不到要求，因此正确选项为A。

光刻工艺中，用于转移图形的关键载体是？

A.掩膜版

B.硅片

C.金属靶材

D.抛光液

答案：A

解析：掩膜版上印有预设的芯片图形，通过与光刻胶的曝光过程，将图形转移到晶圆表面的光刻胶上；硅片是工艺基底，金属靶材用于薄膜沉积，抛光液用于化学机械抛光工艺，因此正确选项为A。

掺杂工艺的核心目的是以下哪一项？

A.改变半导体的电学性能

B.提高晶圆的硬度

C.增强晶圆的透光性

D.增加晶圆的重量

答案：A

解析：半导体本身的电学性能（如导电类型、电阻率）是固定的，通过掺杂工艺向其中引入特定杂质，能精准调整其电学参数，满足器件的设计需求；提高硬度、增强透光性、增加重量均不是掺杂工艺的核心目标，因此正确选项为A。

下列属于干法刻蚀工艺的是？

A.反应离子刻蚀

B.湿法刻蚀

C.稀释酸液刻蚀

D.碱性溶液刻蚀

答案：A

解析：干法刻蚀通过等离子体等气态物质实现材料的去除，反应离子