CN120018549A 一种半导体器件及其制备方法 (北京超弦存储器研究院).pdfVIP

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  • 2026-06-01 发布于重庆
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CN120018549A 一种半导体器件及其制备方法 (北京超弦存储器研究院).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120018549A

(43)申请公布日2025.05.16

(21)申请号202411940715.5H10D30/01(2025.01)

H10D62/17(2025.01)

(22)申请日2024.12.26

H10B12/00(2023.01)

(71)申请人北京超弦存储器研究院

H10B51/30(2023.01)

地址100176北京市大兴区科创十街18号

院11号楼四层401室

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