O₂等离子体处理对多孔SiOCH薄膜中Cu扩散的调控机制与应用研究.docxVIP

O?等离子体处理对多孔SiOCH薄膜中Cu扩散的调控机制与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，集成电路（IntegratedCircuit，IC）的性能不断提升，尺寸不断缩小，以满足日益增长的市场需求。在这一发展过程中，多孔SiOCH薄膜作为一种低介电常数（low-k）材料，以及Cu互连技术，成为了超大规模集成电路制造中的关键技术，对于提高芯片性能、降低功耗和成本具有重要意义。

多孔SiOCH薄膜因其独特的纳米级孔隙结构和化学组成，具有较低的介电常数，能够有效降低互连线之间的电容，减少信号传输延迟和功耗，是实现高性能集成电路的关键材料之一。而Cu