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2025年光电子技术与设备手册

第1章光电子技术与设备手册

1.1半导体能带结构与载流子输运

能带理论是理解半导体光电特性的基石，价带顶（$E_v$）与导带底（$E_c$）之间的禁带宽度（$E_g$）决定了材料的导电类型与光学性质。以硅（Si）为例，其禁带宽度约为1.12eV，在室温下导带电子服从费米-狄拉克分布，平均自由程约为100nm，这直接影响了其光吸收系数。载流子输运过程包含热化、复合与扩散三个核心阶段。当光子能量大于禁带宽度时，价带电子吸收光子跃迁至导带，产生电子-空穴对（ECP），其产生率$G$与入射光功率$P$成正比，经验公式为$G=\alphaP/h\nu$，其中$\alpha$为吸收系数。

电子-空穴对的寿命（$\tau$）是决定器件响应速度的关键参数。在纯硅中，热化载流子的复合寿命约为纳秒级（ns），而扩散长度（$L_D$）通常在微米量级（如Si为10-20$\mu$m），这限制了光收集效率。在p-n结或异质结结构中，载流子通过扩散作用形成空间电荷区，从而建立内建电场。对于光电探测器，耗尽层宽度（$W_{dep}$）决定了光生载流子的收集效率，典型值在微米至亚微米范围。漂移-扩散模型描述了载流子从光生区向集电区的运动。漂移速度$v_d$与电场强度$E$成正比，但在强电场下出现饱