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CN119915773A 重掺杂p型硅片bmd的量测方法、获取硅片生长bmd热处理最优条件的方法、系统及计算机可读介质 （上海新昇半导体科技有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-05-30 发布于重庆
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CN119915773A 重掺杂p型硅片bmd的量测方法、获取硅片生长bmd热处理最优条件的方法、系统及计算机可读介质 （上海新昇半导体科技有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119915773A

    (43)申请公布日2025.05.02

    (21)申请号202411964495.X

    (22)申请日2024.12.27

    (71)申请人上海新昇半导体科技有限公司

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