CN119630129A 一种红光led芯片组件及其制作方法 （重庆康佳光电科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119630129A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202311162538.8

(22)申请日2023.09.08

(71)申请人重庆康佳光电科技有限公司

地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山

路69号（1号厂房）

(72)发明人王涛柴圆圆成飞

(51)Int.Cl.

H10H20/01(2025.01)

H10H20/83(2025.01)

H10H20/833(2025.01)

H10H20/857(2025.01)

H01L25/16(2023.01)

H01L25/00(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图5页

(54)发明名称

一种红光LED芯片组件及其制作方法

(57)摘要

CN119630129A本发明涉及红光LED芯片组件及其制作方法；其中，所述制作方法包括：提供一红光外延，所述红光外延包括依次堆叠的P型半导体层、发光层以及N型半导体层；在所述N型半导体层上形成金属层；对具有所述金属层的红光外延进行退火处理，以在所述N型半导体层靠近所述金属层的一侧形成改质层；去除所述金属层，并暴露所述改质层，所述改质层用于与透明导电材料形成欧姆接触。本申请的LED芯片组件制作方法可以有效改善LED

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