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2026年北大集成电路复试题目及答案

一、填空题（每题2分，共20分）

1.集成电路制造过程中，光刻技术的核心原理是利用______来转移电路图案。

2.CMOS电路中，PMOS和NMOS晶体管的互补特性使得______电路功耗更低。

3.VLSI设计中，布局布线（PlaceandRoute）阶段的主要目标是优化______和______。

4.半导体器件的阈值电压（Vth）受______、______和______等因素影响。

5.SRAM存储单元通常采用______结构，而DRAM则依赖______来维持数据。

6.I/O接口电路中，三态门（Tri-stateGate）的主要作用是实现______功能。

7.模拟电路中，运算放大器的理想特性包括______、______和______。

8.数字信号处理中，DFT（离散傅里叶变换）与FFT（快速傅里叶变换）的关系是______。

9.在电源管理电路中，LDO（低压差线性稳压器）和DC-DC转换器的核心区别在于______。

10.EDA（电子设计自动化）工具中，网表（Netlist）的作用是描述______之间的连接关系。

二、判断题（每题2分，共20分）

1.CMOS电路中，静态功耗主要来源于晶体管的漏电流。（×）

2.SRAM的读写速度比D