CN119630002A 边缘Ai芯片多层存储单元垂直互联封装方法和装置 （深圳市奥斯珂科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119630002A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202510162692.8

(22)申请日2025.02.14

(71)申请人深圳市奥斯珂科技有限公司

地址518000广东省深圳市龙岗区南湾街

道下李朗社区布澜路17号富通海智科技园5栋201

(72)发明人尹春

(74)专利代理机构深圳卓瀚知识产权代理有限

公司441109

专利代理师张培升

(51)Int.Cl.

H10B80/00(2023.01)

H01L23/66(2006.01)

H01L23/48(2006.01)

H01L21/60(2006.01)

G06F30/392(2020.01)

G06F30/394(2020.01)

G06F9/50(2006.01)

权利要求书3页说明书11页附图3页

(54)发明名称

边缘Ai芯片多层存储单元垂直互联封装方

法和装置

(57)摘要

CN119630002A本发明涉及一种用于边缘AI芯片多层存储单元的垂直互联封装方法及装置。方法包括以下步骤：首先，获取边缘AI芯片的多层存储单元的初始封装参数，确保所述封装参数包含与垂直互联相关的物理属性。随后，通过构建多层存储单元的垂直互联模型，结合每个存储单元的封装参数，