CN119630008A 具有高浪涌高稳定触发特性的可控硅器件、制备方法 （上海维安半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119630008A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202510157053.2

(22)申请日2025.02.13

(71)申请人上海维安半导体有限公司

地址201202上海市浦东新区祝桥镇施湾

七路1001号2幢

(72)发明人胡春永单少杰苏海伟魏峰余震杰范文来张伟

(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272

专利代理师吴轶淳

(51)Int.Cl.

H10D18/00(2025.01)

H10D18/01(2025.01)

权利要求书2页说明书9页附图8页

(54)发明名称

具有高浪涌高稳定触发特性的可控硅器件、

制备方法

(57)摘要

CN119630008A本发明涉及功率器件技术领域，具体涉及一种具有高浪涌高稳定触发特性的可控硅器件及其制备方法。包括：正面基区金属电极和正面发射区金属电极之间有保护层，保护层中有多晶硅电阻区，分别连接两侧的电极进行分流。针对可控硅器件不能同时具备高触发电流、高抗浪涌能力的问题，在正面电极之间通过多晶硅电阻区形成了并联通路进行分流，从而提高触发电流IG值。该结构可使得器件选用更淡掺杂的基区和更宽面积的发射区，从而提升防浪涌能力和耐压性能。通过对多晶硅电阻区的参数进行限制